Chemical Vapor Deposition

Per la deposizione di strati di tungsteno dalla fase vapore, un composto di tungsteno facilmente evaporabile è mescolato con un gas di trasporto e / o gas riducente e decomposto o ridotta ad una temperatura superiore su un opportuno. Le possibili composti di tungsteno sono alogenuri (preferibilmente WF6 e WCl6), esacarbonile di tungsteno [W (CO) 6], e organometallici. Fino ad ora, solo gli alogenuri sono tecnicamente importanti. indagini estese nella direzione di organometallici sono stati intrapresi per superare gli inconvenienti dei alogenuri: l'alta temperatura necessaria per riduzione e le difficoltà causate dalla corrosione.           

Fogli, prodotti tramite CVD (deposizione chimica da fase vapore), mostrano una microstruttura molto diversa rispetto a battuto P / M prodotti in termini di granulometria e l'orientamento del grano. Entrambi i parametri possono essere influenzate dalle condizioni di deposizione. Molto grana fine CVD (Chemical Vapour Deposition) tungsteno può essere ottenuta cambiando le condizioni di crescita durante la deposizione, per esempio, a pennello, che aumenta la velocità di nucleazione e disturba la crescita del grano colonnare. Il metodo offre anche la possibilità di depositare strati di orientamento cristallo desiderata o strati di cristallo addirittura singoli.           

(Chemical Vapour Deposition) CVD di tungsteno e tungsteno-renio (co-deposizione di WF6 e ReF6) è di importanza commerciale per la produzione di obiettivi radiografici. W-Re strati di fino a 1 mm vengono depositati su dischi di grafite con diametri compresi tra 100 e 150 mm. Inoltre, CVD può essere usato per produrre cilindrici o conici conchiglie, coni (come fodere carica cava), crogioli e tubi a parete sottile.           

bassa pressione CVD di tungsteno è testato per via delle spine, barriere di contatto a bassa resistenza e interconnessioni per circuiti integrati al silicio ad alta densità. A seconda del substrato e le condizioni di deposizione, sia α-o β-tungsteno, o una miscela di entrambi, forme. Questo è di interesse, perché la resistività ofβ-W è circa 10 volte superiore a quella ofα-W.

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